近期，力积电与塔塔合作的12英寸晶圆厂敲定，投资金额为110亿美元；另外力积电就其解除与SBI在日本的建厂计划事宜进行了说明，表示非财务问题影响。01与塔塔合作的12英寸晶圆厂敲定9月27日，力积电宣布，与印度塔塔集团旗下塔塔电子（Tata

近期，多个6英寸产线获得最新进展，涉及第三代半导体材料碳化硅、氧化镓。1昕感科技顺利完成晶圆厂首批投片9月21日消息，昕感科技官方表示已顺利完成晶圆厂首批投片。公开资料显示，昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产，其江阴晶圆厂于2023年8月土建开工，2024年8月设备正式Move-in。另据新华网江苏频道消息，昕感科技6英寸功率半导体制造项目总投资20亿元，产品可广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、5G通信等领域，满载后年产能将达100万片。今年6月行业消息显示，昕感科技第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户无锡锡东新城。锡东新城消息显示，此次签约的项目总投资超10亿元，主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线，可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产，实现满产产能约129万只/年，产值超15亿元/年。2国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！9月12日，据杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）官微消息，富加镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。公开资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。据称，富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司，开工建设的6英寸氧化镓单晶及外延片生长线也是国内第一条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线。3投资4.32亿元，这座6英寸碳化硅器件厂落成9月4日，RIR

“芯”闻摘要2025晶圆代工产值预估无锡50亿专项母基金成立士兰微16亿增资敲定英特尔转型计划12025晶圆代工产值预估根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年因消费性产品终端市场疲弱，零部件厂商保守备货，导致晶圆代工厂的平均产能利用率低于80%，仅有HPC（高性能计算）产品和旗舰智能手机主流采用的5/4/3nm等先进制程维持满载；不同的是，虽然消费性终端市场2025年能见度仍低，但汽车、工控等供应链的库存已从2024年下半年起逐渐落底，2025年将重启零星备货，加上Edge

放眼全球，碳化硅产业呈现美、欧、日三足鼎立的局面，受下游应用需求推动，碳化硅迈入加速发展期。目前来看，英飞凌、意法半导体、安森美、天岳先进、三安光电、罗姆等大厂持续布局碳化硅产能，稳固其市场地位，同时，产业链相关环节的其他玩家也加入了碳化硅竞争。在此之下，8英寸碳化硅成为各方攻略的新堡垒。018英寸碳化硅，布局战况凭借成本等综合优势，市场对8英寸碳化硅的部署步伐不停，近期传来许多新的声音。图片来源：拍信网海外厂商方面，9月17日，日本碍子株式会（NGK，下文简称日本碍子）在其官网宣布，已成功制备出直径为8英寸的SiC晶圆，并表示公司将于本月底在美国ICSCRM

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年因消费性产品终端市场疲弱，零部件厂商保守备货，导致晶圆代工厂的平均产能利用率低于80%，仅有HPC（高性能计算）产品和旗舰智能手机主流采用的5/4/3nm等先进制程维持满载；不同的是，虽然消费性终端市场2025年能见度仍低，但汽车、工控等供应链的库存已从2024年下半年起逐渐落底，2025年将重启零星备货，加上Edge

稀土元素在半导体产业中扮演着重要的角色，尤其是在高性能半导体材料的制造过程中。稀土元素的应用涵盖了从抛光材料、靶材到激光技术等多个方面，这些应用对于提升半导体性能和制造效率至关重要。新华社记者14日从中国稀土集团了解到，中国稀土集团找矿取得重大突破，专家组认为预期新增稀土资源量496万吨。据介绍，中国稀土集团组建以来，坚决服务国家战略，统筹实施资源整合和产业协同，提前全面完成整合任务；大力推进增储上产工作，新获设一批矿权，加大勘查投入，并加大绿色勘查开发工艺技术的攻关、集成和技术工程化，形成不同资源禀赋、不同地质特征的工艺组合。近期，中国稀土集团在四川凉山组织构建国家稀土产业战略腹地暨攀西地区稀土资源增储上产专题研讨会和项目中期评估，专家组认为在凉山找矿完成阶段性任务，找矿成果突出，预期增加资源量496万吨。中国稀土集团党委书记、董事长敖宏介绍，中国稀土集团将聚焦新一轮找矿突破行动，紧盯拓资源、增储量、上产量、稳供应、降成本、保安全，切实增强中国稀土集团在稀土资源安全保障方面的核心功能，为保障国家稀土资源安全作出新的更大贡献。推荐阅读国产半导体设备实现关键突破！半导体行业回暖信号加强中国半导体芯片研发再获重要突破NAND

继上海、北京之后，近日，江苏无锡也成立了集成电路产业专项母基金。天眼查信息显示，9月10日，江苏无锡集成电路产业专项母基金（有限合伙）（以下简称“无锡集成电路产业母基金”）正式注册成立，出资额50亿元。50亿专项母基金启动运行今年6月份，总规模500亿元的江苏省战略性新兴产业母基金启动运行。其中，包括落地无锡市的三支产业基金（集成电路、生物医药和未来产业）总规模100亿元。据无锡市委常委、常务副市长蒋敏此前介绍，该基金存续期15年，其中投资期8年、退出期7年；基金坚持市场化运作、专业化管理，采取“子基金+直投”方式，主要投向半导体设备、材料和零部件，第三代半导体材料、生产主体和设备，芯片设计等领域。股东方面，该母基金由无锡锡创聚力股权投资合伙企业（有限合伙）、江苏省战略性新兴产业母基金有限公司、无锡产业发展集团有限公司、无锡市创新投资集团有限公司和无锡战新私募基金管理有限公司共同投资，对应的持股份额分别为40%、25%、20%、14%和1%。图片来源：天眼查截图全球半导体观察注意到，无锡集成电路产业母基金由省级母基金出资25%、无锡市配套出资75%，同步显示出无锡市在集成电路产业领域的投资决心和战略布局。该基金以促进无锡市集成电路产业高质量发展、助力打造无锡具有核心竞争力和国际影响力的集成电路产业集群为目标，重点培育产业链上中下游核心技术企业，提升无锡地方集成电路产业链价值。无锡集成电路产业目标瞄准2800亿元众所知周，无锡是中国集成电路产业发展重镇，我国第一块超大规模集成电路便诞生于此。经过多年的发展，无锡在集成电路领域的实现了飞速发展。在集成电路产业发展过程中，无锡市不仅培育引进了多家产业链知名企业，如SK海力士、华虹、华润微、卓胜微、中科芯、长电科技、高通、英飞凌、盛合晶微、新洁能、卓胜微等，涉及芯片设计、制造、封测、存储等领域。本土企业方面，华虹集团是中国大陆第二，全球排名第六的晶圆代工厂商；长电科技更是全球前五大封测企业之一。外资引进方面，SK海力士正在持续加大对无锡工厂的投资力度；高通在中国唯一的生产基地（全讯射频）亦选址无锡。今年6月，无锡市与高通再次签署了总投资5.5亿元无锡工厂扩产项目战略合作协议；英飞凌位于无锡的制造基地也在不断丰富产品线并优化产品组合。随着无锡集成电路产业“朋友圈”扩大，各大签约落地的项目也接踵而至。目前，无锡拥有8个集成电路重特大项目，总投资超1300亿元，同时，无锡还手握43个在建重大产业项目，投资额均超5亿元。根据行业协会统计，2023年无锡集成电路规上产业产值达2400亿元，增长7.7%。在芯片设计、晶圆制造、封装测试“核心三业”的规模超1400亿元，位居全国第二。图片来源：央视财经频道视频截图根据“465”现代产业集群（4个地标产业集群，6个优势产业集群、5个未来产业）规划，无锡的目标是，到2025年实现全市集成电路规上产值2800亿元。而此前无锡市市长赵建军曾在在集成电路产业集群建设季度推进会亦指出，集成电路产业是无锡直面竞争、赢得未来的战略性支柱性标志性产业，是无锡最具先发优势、最具完备生态、最具发展潜力的“金字招牌”。推荐阅读国产半导体设备实现关键突破！半导体行业回暖信号加强中国半导体芯片研发再获重要突破NAND

近期，处于舆论中心的英特尔宣布重要转型计划，英特尔CEO帕特·基辛格发布全员信，介绍了公司正着手进行的几项变革工作，包括晶圆代工业务独立运营、与亚马逊AWS合作定制芯片、相关建厂项目调整等。晶圆代工业务设立子公司，Intel

Flash厂商营收排名根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于Server（服务器）终端库存调整接近尾声，加上AI推动了大容量存储产品需求，2024年第二季NAND

近日，全国31个省市陆续公布了第六批专精特新“小巨人”企业和第三批专精特新“小巨人”复核通过企业名单的公示。就省份而言，江苏（711）占比最多，其次是浙江省（400）、广东省（263）；就城市来看，深圳（298）、北京（271）、上海（206）比重较高。其中值得注意的是，各省市半导体企业所占比重正不断上升，上海半导体企业占比更是超14%。具体情况看，江苏711家上榜第六批专精特新“小巨人”企业中，半导体企业超65家，占全省的9%，覆盖芯片设计、制造、封装测试、设备、材料及第三代半导体等多领域。上榜企业包括昇显微电子、芯德半导体、澜起电子、芯视界微电子、太极半导体、亚科鸿禹、芯华章、英诺赛科、裕太微电子等。向上滑动阅览据江苏省发布的半年报显示，江苏集成电路产业链上市公司覆盖半导体材料及设备、芯片设计、分立器件、集成电路封测及制造等上下游多领域。在2024年上半年收入和利润双增长，其中营收增长16%。二季度营收、净利润环比分别增长18.3%、8.4%，为下半年业绩增长奠定了基础。其中江苏无锡高新区专注强“芯”。当前，无锡高新区正大力实施集成电路“产业规模突破2000亿、上市企业市值达到1500亿”两大工程，争创集成电路国家级战略性新兴产业集群。浙江省400家上榜企业中，半导体企业共计超35家，占全省的9%，覆盖IP/EDA、存储、封装测试、设备、材料等多领域。上榜企业包括长电集成电路（绍兴）有限公司、杭州地芯科技有限公司、杭州行芯科技有限公司、杭州众硅电子科技有限公司、联芸科技（杭州）

近期，台积电2纳米以下先进制程扩产有最新消息。中国台湾中科管理局长许茂新9月11日表示，中科台中二期园区扩建，目前同意协议价购的土地面积已达95%

Digital，西部数据）第二季因主力客户需求微幅减少，加上其PCIe界面产品成长幅度略低于竞争者，营收为1.64亿美元。WDC已将重心转往PCIe界面产品开发，并扩大与第三方主控业者合作PCIe

公开消息显示，近期我国半导体设备在离子注入、刻蚀、薄膜沉积、第三代半导体等领域取得多番突破。国产设备大厂自2020年起至今年上半年，业绩实现了较大程度的增长。近几年的驱动因素包括受人工智能计算需求大幅提升、全球晶圆制造产能扩张、高性能计算和存储相关设备以及第三代半导体设备需求猛涨等。总体来看，业界关于“半导体设备是近几年半导体产业中业绩确定性最强的细分领域”定论依旧适用。01国产设备多番突破国家电投完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付据国家电力投资集团有限公司（以下简称“国家电投”）9月10日消息，近日，国家电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。国家电投表示，这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产化奠定了基础。据国家电投介绍，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用，该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破，打破了国外垄断。官方资料显示，核力创芯在不到三年的时间里，突破多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术和100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。首批交付的芯片产品经历了累计近万小时的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。企查查显示，核力创芯成立于2021年，注册地位于江苏省无锡市，是国家电投集团核技术应用产业重点项目——功率芯片质子辐照项目的承建单位，注册资本7022.63万元。中微公司：关键零组件“自主可控”比例已超过9成，预期今年三季度可达100%近日，国产半导体设备大厂中微公司董事长、总经理尹志尧尹志尧表示，当前中微自主化进展顺利，关键零组件“自主可控”比例已超过9成，预期在2024年第3季就能达到100%。他相信在5~10年，中国半导体设备技术可以赶上最先进水平。近年来，芯片从二维向三维的结构变化带来了新的市场机遇。尹志尧认为，集成电路发展到当前阶段，光刻机的关键作用在减弱，而刻蚀、薄膜和其它设备的关键作用在增强。深层结构不是靠光刻，而是薄膜等其它设备的综合作战，这对国内企业来说是很大的机会。中微未来设定了三大业务方向，一是集成电路设备，从刻蚀到薄膜再到检测等关键领域，更多地去做开发；二是泛半导体设备，公司将借助现有技术积累，扩展布局显示、微机电系统、功率器件、太阳能领域的关键设备；三是进军光学检测设备，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备，近期将尽快开发出电子束检测设备，这也是除光刻机以外最大的短板。目前中微公司正在持续研发多款半导体设备，据中微公司披露，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已经在客户产线上展开验证，多款ICP刻蚀设备在先进逻辑芯片、先进DRAM和3D

近日，浙江省集成电路关键技术高价值专利培育基地启动仪式在浙江大学绍兴研究院举行。据“越城发布”介绍，这是越城区首个省级高价值专利培育基地，也是目前全省集成电路领域中唯一一家。该基地由浙大研究院、芯联集成、长电绍兴、中科通信、绍兴市集成电路行业协会以及专业知识产权服务机构共同组成，具有“产学研服”多方资源优势。通过为期2年的建设，主要完成知识产权管理体系建设、技术研发与产业化、专利信息支撑与前瞻性分析、培育高价值发明专利和PCT申请等9大任务。绍兴市集成电路行业协会秘书长王鸿龙表示，基地的布局对标国际视野，同时通过构建联盟“专利池”唤醒“沉睡”的专利，加速科技成果从“书架”走向“货架”，为国内集成电路产业探索出一条切实可行的高价值专利培育路径。针对当前绍兴集成电路产业所面临的问题，基地聚焦研究新一代半导体材料、先进封装、光电融合等关键技术，配备了完善的研发资源。芯联集成专利技术专家汪玉杰介绍，在预期成果方面，建设期内基地计划围绕关键核心技术形成2-3个高价值专利组合，共计申请高价值发明专利和PCT专利100件以上，发明专利授权率不低于60%，同时产出的技术成果将联合共建单位实施产业化。推荐阅读前十大晶圆代工厂商最新营收排名存储器三雄把握HBM3e商机全球前六大智能手机市占率排名芯片制造关键技术首次突破▶

据路透社等媒体报道，荷兰半导体厂商恩智浦将在印度投资10亿美元，以提高研发能力。报道称，当地时间9月11日，恩智浦半导体执行长库尔特·西佛斯

存储行业被称为半导体产业“风向标”。迈过了2022年至2023年的行业低谷，从去年年末开始至今年二季度，存储国产存储厂商财报逐渐有了起色。受益于AI浪潮，以及消费电子、汽车、工控等领域驱动，今年多家存储厂商半年报数据普遍增长，新技术新产品陆续开出。另外，近期存储市场动态不断，包括兆易创新拟向子公司增资8亿元，增加DRAM募投项目实施主体和地点。（一）多家国产存储厂商业绩大涨首先来看兆易创新、澜起科技、佰维存储、德明利、普冉半导体、聚辰股份的半年报财报。兆易创新方面，2024年上半年，兆易创新实现营业收入36.09亿元，同比增长21.69%，归属于上市公司股东的净利润5.17亿元，同比增长53.88%。经历2023年市场需求低迷和库存逐步去化后，2024年上半年消费、网通市场出现需求回暖，带动公司存储芯片的产品销量和营收增长。在汽车市场，公司车规闪存产品出货量保持良好增长。车规MCU产品与多家国内、国际头部Tier

近期上海集成电路动态频频。在8月上海集成电路产投基金二期增资至145亿后，上海多地再迎来多个重大投资。嘉定区集成电路产业链联盟，26家企业现场签约9月10日，在第四届中国智能传感大会上，嘉定区集成电路产业链联盟成立。作为链接政府、企业、院所、投资机构的创新载体，嘉定区集成电路产业链联盟将成为集成电路产业延链、补链、强链的重要抓手，进一步促进嘉定、上海以及中国集成电路产业实现高质量发展。上海嘉定区相关负责人表示，嘉定将充分发挥集成电路和智能传感器产业的优势基础，以重点产线为引领、重大平台为支撑，强化布局汽车芯片、智能传感器、集成电路制造及封测、集成电路材料及设计等赛道。上海智能传感器产业园以打造国内一流的智能传感器产业园为目标，正紧跟国家战略，落实上海方案，体现嘉定担当，通过快速壮大产业规模、显著增强创新能力、持续完善生态体系来加快园区建设，不断彰显上海集成电路产业“北翼”的品牌效应。值得注意的是，大会现场上海嘉定工业区集成电路项目签约和上海汽车芯片工程中心生态企业签约同步举行。集成电路项目方面，纳境科技、中微沪芯、深热科技等共计14家嘉定工业区集成电路优质企业进行现场签约，项目涵盖高性能智能传感器和工业电源、高可靠性汽车芯片、高端集成电路材料和设备零部件等领域。汽车芯片方面，上汽芯片工程中心与上汽集团、广汽研究院、联创汽车电子、延锋国际技术中心、润芯微等12家汽车芯片产业链领军企业集中签约，将联合产业链上下游开展创新技术研发，加速推进车规芯片国产化进程。上海集成电路设计产业园4-2项目竣工交付据澎湃新闻近日消息，上海集成电路设计产业园4-2项目（集鼎天地）竣工交付。公开资料显示，上海集成电路设计产业园是上海科创中心建设版图中，瞄准关键核心技术、重点产业突破的核心承载区。集设园规划面积约3平方公里，居于张江科学城核心区域，以集设园为核心，张江科学城聚集了中国芯片设计的主力企业，并已形成了集设计、制造、测试、封装、材料、技术服务于一体的完整产业链。本项目是集成电路设计产业园的重点项目之一。早在2023年，张江高科就提出，加快布局“2+2+x”产业矩阵，包括上海三大先导产业之集成电路、人工智能两大产业；提前布局航空航天、智能汽车两大新产业，拓展大健康、量子科技等未来“x”产业。目前，上海集成电路设计产业园累计入驻企业168家先后有Schneider,

9月10日,海关总署网站显示，据海关统计，2024年前8个月，我国货物贸易（下同）进出口总值28.58万亿元人民币，同比（下同）增长6%。出口数据方面，前8个月，我国出口机电产品9.72万亿元，增长8.8%，占我出口总值的59.1%。其中，自动数据处理设备及其零部件9423.8亿元，增长11.6%；集成电路7360.4亿元，增长24.8%；汽车5408.4亿元，增长22.2%；手机5143.7亿元，增长0.5%。进口数据方面，机电产品进口4.49万亿元，增长10.4%。其中，集成电路3580亿个，增加14.8%，价值1.74万亿元，增长14%；汽车47.8万辆，减少1.8%，价值1936.1亿元，下降6.6%。推荐阅读前十大晶圆代工厂商最新营收排名存储器三雄把握HBM3e商机全球前六大智能手机市占率排名芯片制造关键技术首次突破▶

近日，中国在半导体芯片领域创造了两项记录：一是量产了全球首款28nm内嵌RRAM画质调节芯片，二是研发出了世界首创的16位量子比特半导体微型处理器芯片。量产全球首款28nm内嵌RRAM画质调节芯片近日，我国显示类芯片达到新的半导体工艺高度。据“北京亦庄介绍，由中国半导体厂商显芯科技有限公司（以下简称“显芯科技”）联合国内科研院所研制的全球首款28nm内嵌RRAM（阻变存储器）画质调节芯片在北京正式量产，并成功应用于国内头部客户的Mini

Flash位元出货量呈现小幅季减，但平均销售单价则上涨20%，带动第二季营收达62亿美元，季增长14.8%。Samsung预估其第三季出货量将优于市场整体水平，加上Enterprise

近日，我国在8英寸碳化硅领域多番突破，中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付，天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来，未来将会有更多厂商带来新的产品和技术，我们拭目以待。关键突破！中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级近日，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。图片来源：中国电科据中国电科官方消息，碳化硅外延炉是第三代半导体碳化硅器件制造的核心装备之一。此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延设备，具备更快、更好、更稳定的特点，通过改进激光视觉定位、晶圆自纠偏等技术，设备自动化性能更加成熟，提升产品生产效率。设备还成功引入新的掺杂技术，进一步提升产品良率，持续降低生产成本。三义激光：首批碳化硅激光设备正式交付9月5日，三义激光在官微透露，他们自主研发、生产的首批6&8英寸碳化硅激光滚圆设备顺利完成生产并正式交付客户，标志着公司在高端激光加工设备领域取得了重要进展。图片来源：三义激光据悉，三义激光碳化硅激光设备能利用高能激光束进行精准加工，提高生产效率，降低损耗，提升产品良率，为碳化硅的精细加工提供了高效、精准的解决方案，并具激光非接触式加工、7×24小时无间断工作、设备运行无需耗材等优势。上海汉虹：制备8英寸碳化硅晶体8月30日，上海汉虹官微宣布，他们在拉晶实验室中，使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体，此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。据悉，该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉，采用上进料方式和自动化控制，通过热场旋转及热场工艺稳定性设计，确保晶体生长过程中的温度均匀性和稳定性，目标为新能源汽车、5G通讯等新兴产业的进一步发展提供材料基础。天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售近日，天岳先进披露了今年上半年财报，公司

“芯”闻摘要晶圆代工营收排名芯片制造关键技术首次突破全球12英寸晶圆厂动态国产半导体设备斩获新单事关集成电路与AI，两部门发声英伟达营收预估1晶圆代工营收排名根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第二季中国618年中消费季的到来，以及消费性终端库存已回归健康水平，客户陆续启动消费性零部件备货或库存回补，推动晶圆代工厂接获急单，产能利用率显著提升，较前一季明显改善。同时，AI服务器相关需求续强，推升第二季全球前十大晶圆代工产值季增9.6%至320亿美元。从排名来看，前五大晶圆代工厂商第二季保持不变，依次为台积电、三星、中芯国际、联电与格芯。在六至十名中，VIS（世界先进）受惠DDI（显示驱动芯片）急单及PMIC（电源管理芯片）红利带动出货增长，排行升至第八位；力积电、合肥晶合则分别降至第九和第十位。排行依次为华虹集团、高塔半导体、VIS、PSMC与Nexchip...详情请点击《320亿美元，第二季全球前十大晶圆代工产值季增9.6%》2芯片制造关键技术首次突破据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。平面碳化硅MOS结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近P体区域的狭窄N区中，流过时会产生JFET效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。该突破对我们的生活和半导体产业有何加持作用呢？国家第三代半导体技术创新中心（南京）技术总监黄润华以新能源汽车举例介绍，碳化硅功率器件本身相比硅器件具备省电优势，可提升续航能力约5%；应用沟槽结构后，可实现更低电阻的设计。在导通性能指标不变的情况下，则可实现更高密度的芯片布局，从而降低芯片使用成本...详情请点击《国家队加持，芯片制造关键技术首次突破》3全球12英寸晶圆厂动态AI市场新兴应用扑面而来，HPC高性能计算、HBM、CoWoS先进封装、高性能存储等需求大幅提升，为晶圆代工行业带来了无限动力。由于12英寸晶圆在先进制程芯片有更广泛的实用性，近年来全球迈入了12英寸晶圆大扩产时代，包括台积电、英特尔、联电、世界先进、中芯国际、华虹半导体等在内的晶圆厂陆续开出产能。9月4日，世界先进和恩智浦共同宣布，双方合资成立的新加坡12英寸晶圆厂已获中国台湾、新加坡等多地监管机构批准，正式成立VisionPower

近日，武汉印发《武汉市产业创新联合实验室建设实施方案》（以下简称“《实施方案》”），首次提出组建“产业创新联合实验室”。武汉将以重大产业需求为导向，依托在集成电路、智能网联汽车、未来新材料、无线通信等优势领域的头部企业为核心建设联合实验室，最大限度强化企业科技创新主体地位，提升企业在科技项目形成、组织和资金配置等方面的参与度和话语权，支持企业规模做大、创新能力做强并推动成果就地转化。长江日报评论对此发文解析，产业创新联合实验室，虽叫实验室，但与科研院所那种传统的摆满科研仪器设备的实验室不同，它相当于产学研用各方的连接器，是一种由企业、高校、科研院所等单位共同组建的新型研发平台，致力于解决武汉产业发展的实际难题。经由这种实验室，“产”成为有研究支撑的产，“研”属于有产业前景的研。其奋斗目标提到，到2026年，组建10个以上联合实验室，推动牵头企业实现产值复合增长率超过15%，对本领域产业链产生乘数带动效应，孵化出一批创新企业。《实施方案》提到，产业创新联合实验室三年内将攻克产业重大关键核心技术、研制重大创新产品，成果要转化落地，形成新的经济增长点。一方面，基于已有资源及经验，有团队的直接“上场”。如华工科技中央研究院被企业计划打造为创新资源聚集平台，不光组建了专家委员会，还签约了包括高校、国家级智库、新型研发机构、企业在内多个支持合作单位，培养、带动了省内200多家供应链、产业链上游企业发展壮大，并已有将近200名科研人才。这一模式将被复制到正在筹建的“半导体激光装备联合实验室”上。另一方面，组建最强战队。由首席科学家组建团队，正在筹建的“新型显示产业创新联合实验室”采取产业链共建模式，打通上下游，共谋共建共享产业链，首席科学家遴选方向、主导技术路线，志在突破印刷OLED量产工艺等技术的产业化。《实施方案》指出，确定以龙头企业为核心建设产业创新联合实验室。这样的企业在国际国内具备一定领先优势，具备较强爆发力和持续成长性，其组建的产业创新联合实验室，要面向产业化、面向应用、面向市场，还要有行业创新能力及产业带动能力。牵头企业不“唯大”只“唯新”，更看重企业逐“新”的潜力与决心。支持属于未来制造、未来信息、未来材料、未来能源、未来空间、未来健康等未来产业领域的企业牵头组建实验室。此外，《实施方案》指出，市级层面将每年给予每个联合实验室一定资金支持，重点支持产业创新联合实验室开展技术项目攻关。所在区根据实际情况，按规定给予支持。同时，配套实验室专项基金，加大对产业创新联合实验室成果转化与“高精尖”产业培育项目的股权投资。支持产业创新联合实验室牵头企业承担国家、省级重大科技项目，申报国家超长期特别国债；对产业创新联合实验室牵头企业及成员单位，赋予市级人才计划举荐权等。据长江日报披露，目前首批联合实验室已投入使用，25个产业化项目正在推进，部分企业创投基金甚至已提前对接。其中，华中数控牵头筹建的“高端数控系统联合实验室”，已完成立式五轴、卧式五轴等10类机床选型及测试方案制定；长飞牵头筹建的光纤光缆联合实验室，股权投资基金等金融要素已迅速跟进。推荐阅读前十大晶圆代工厂商最新营收排名存储器三雄把握HBM3e商机全球前六大智能手机市占率排名芯片制造关键技术首次突破▶

AI人工智能浪潮趋势推动下，高性能存储产品HBM市场需求也水涨船高。以SK海力士、三星和美光为代表的存储厂商之间的竞争赛道也转移至HBM。尤其是在英伟达驱动下，目前，三大存储器厂商都希望把握NVIDIA

9月5日，集成电路装备企业盛美半导体宣布，公司已收到四台晶圆级封装设备的采购订单。其中两台来自一家美国客户，另外两台来自一家美国研发(R&D)

根据韩媒报道，9月2日，三星电子在第二季度引入了少量用于大规模生产GaN功率半导体的设备。GaN是下一代功率半导体材料，具有比硅更好的热性能、压力耐久性和功率效率。基于这些优势，IT、电信和汽车等行业对其的需求正在增加。三星电子也注意到了GaN功率半导体行业的增长潜力，并一直在推动其进入市场。去年6月，在美国硅谷举行的“2023年三星代工论坛”上，该公司正式宣布：“我们将在2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。”根据这一战略，三星电子第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思强（Aixtron）的有机金属化学气相沉积（MOCVD）设备。该工厂负责三星电子8英寸晶圆代工，而公司GaN功率半导体工艺目前也是以8英寸为主。三星电子投资用于GaN研发的设施也位于该厂。MOCVD是一种利用金属有机原料生长薄膜的技术。它在硅（Si）或碳化硅（SiC）晶圆上沉积GaN材料，制造GaN晶圆，发挥着关键作用。目前，用于GaN晶圆的MOCVD设备主要由爱思强和美国Veeco两家公司供应。其中，爱思强的市场占有率极高。2023年，三星电子高管还与爱思强首席执行官（CEO）费利克斯·格拉伯特（Felix

9月4日，芯联集成发布公告，其收购控股子公司芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司（下称“芯联越州”）剩余72.33%股权的重组草案通过董事会决议。图片来源：芯联集成此次发布的重组草案，与其今年6月发布的预案相比，更新了本次交易的具体方案，补充披露了交易标的资产评估作价情况，以及标的公司历史沿革、近三年经营情况及财务数据、债权债务转移等内容。公告重点内容主要如下，芯联越州72.33%的股份对应资产交易价格为58.97亿元。收购的具体交易方案为，芯联集成将以发行股份的方式支付53.07亿元，占交易总对价90%，其余以支付现金的方式支付对价5.90亿元，占交易总对价的10%。发行计划显示，芯联集成拟发行数量约为13.14亿股，占发行后上市公司总股本的比例为15.70%，发行价为4.04元/股，该价格不低于定价基准日前20个交易日上市公司股票交易均价。芯联集成收购芯联越州主要用于推动碳化硅和模拟IC这两大产品线的高速发展。据芯联集成上半年财报数据显示，SiC

AI市场新兴应用扑面而来，HPC高性能计算、HBM、CoWoS先进封装、高性能存储等需求大幅提升，为晶圆代工行业带来了无限动力。由于12英寸晶圆在先进制程芯片有更广泛的实用性，近年来全球迈入了12英寸晶圆大扩产时代，包括台积电、英特尔、联电、世界先进、中芯国际、华虹半导体等在内的晶圆厂陆续开出产能。一世界先进新加坡12英寸厂获批9月4日，世界先进和恩智浦共同宣布，双方合资成立的新加坡12英寸晶圆厂已获中国台湾、新加坡等多地监管机构批准，正式成立VisionPower

基板的销售份额将提高到50%以上。FCBGA是一种集成电路封装技术，全称为“Flip

RISC-V因具备开源、开放、简洁、灵活等优秀特性，吸引了全球大量的开发者和公司，其中不乏有芯片相关企业的影子，包括Arm、英特尔、阿里巴巴旗下半导体企业平头哥、Tenstorrent、赛昉科技、SiFive、晶心科技、奕斯伟计算等已部署RISC-V。此外，截至2023年底，RISC-V国际基金会已经拥有了4423个成员，同比增长28%，遍布全球70多个国家。RISC-V露于台前，多方驶入赛道图片来源：拍信网开源新架构RISC-V势头越来越盛，又一欧洲芯片大厂入局。当地时间8月29日，意法半导体（ST）宣布，已加入RISC-V公司Quintauris

Flash均已通过AEC-Q100车规级认证。兆易创新利基型DRAM产品，符合JEDEC标准，推出了DDR3L、DDR4不同容量、不同工作温度范围的系列产品。兆易创新于2021年6月推出了首额4Gb

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第二季由于部分品牌新机铺货期结束，加上季底进入库存调节等因素，全球智能手机生产总数落在2.86亿支，较第一季下降约3%。由于旺季需求疲软，品牌厂在第三季的生产规划普遍趋于保守。因此，第三季生产总数预估仅有微幅季增，达2.93亿支，但仍较去年同期呈现约5%的下降。三星持续推进折叠机市场，苹果新机预计同比增长8%Samsung（三星）第二季由于Galaxy

2023中国芯片科学十大进展提名奖接近量子极限的二维半导体接触南京大学王欣然、施毅教授团队与东南大学王金兰教授团队提出了一种轨道杂化增强的新策略，在单层MoS2晶体管中实现了目前最低的接触电阻42

继上海成立450亿规模的集成电路产业母基金后，北京也再次出手，成立了北京集成电路产业投资基金（有限合伙）。工商信息显示，北京集成电路产业投资基金（有限合伙）于8月27日注册成立，注册资本高达85亿元，由中关村发展集团股份有限公司（简称“中关村发展集团”）、北京中关村资本基金管理有限公司共同出资。其中，中关村发展集团出资占比99.9%。据官网介绍，中关村发展集团成立于2010年，注册资本169.22亿元，提供投融资总额7000多亿元，投资方向覆盖北京市十大高精尖产业，投资方向主要为新材料、生物科技、半导体等高科技领域，其涉及项目（在投和历史投资）包括原粒半导体、中芯北方、兆易创新、华卓精科、韦尔股份等。北京是最早布局地方性集成电路产业城市之一，《2023年度中关村集成电路设计园发展状况调查报告》显示，2023年北京市集成电路设计业销售规模为907.5亿元，较2022年增长61.7亿元，占全国集成电路设计业的15.7%。而根据北京市“十四五”时期高精尖产业发展规划，北京力争到2025年集成电路产业实现营业收入3000亿元。其中海淀区成为重点发展区域之一。01中关村科学城发布集成电路行动计划为推进集成电路产业高质量发展，明确未来三年的发展任务，抢抓集成电路发展先机，中关村科学城管委会制定了《中关村科学城集成电路创芯引领行动计划（2024-2026年）》（以下简称：《行动计划》），并于近日正式发布。《行动计划》明确了发展目标：到2026年底，海淀区集成电路产业发展质量明显提高，成为具有全球影响力的集成电路产业创新高地，形成2-3个引领带动效益显著的集成电路设计业集群；海淀区集成电路设计服务、测试等产业配套能力显著提升，全面建成涵盖人才服务、金融支持、应用创新、交流合作等多层次、可持续的集成电路企业全周期服务体系，集成电路产业集聚优势显著，目前已形成一区一带协同创新发展格局。其中，“一区”为学院路知春路环高校区，集中了清华大学集成电路学院、北京大学集成电路学院、北京开源芯片研究院等集成电路领域高校院所和新型研发机构，集聚了一批集成电路初创企业，加速区内创新成果转化；“一带”为沿北清路企业带，空间优势明显，拥有中关村集成电路设计园（IC

近期晶圆代工市场领域动态频频，台积电方面据称将在日本兴建第3座工厂，三星平泽P4/P5芯片工厂推迟到2026年，优先建设得州泰勒晶圆厂；中芯国际、华虹集团、晶合集成则陆续披露半年报，三家企业产能稼动率稳步提升。其中中芯国际预计今年末相较去年末12英寸的月产能将增加6万片左右；华虹则正加快无锡新12英寸产线的建设，预计在明年一季度投产。据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，AI服务器相关需求续强，推升第二季全球前十大晶圆代工产值季增9.6%至320亿美元。台积电、三星、中芯国际、华虹集团、合肥晶合分别在今年第二季全球前十大晶圆代工业者中排第一、第二、第三、第六、第十。台积电日本将建第3座工厂时间落在2030年以后台积电方面，近日中国台湾经济部门负责人郭智辉在接受媒体采访时候表示，台积电将在日本兴建第3座工厂，预计将用来生产先进半导体，预估建设时间会在2030年以后。公开资料显示，台积电位于日本熊本县菊阳町的工厂（熊本一厂）将在今年Q4（10-12月）开始量产，采用28/22纳米、16/12纳米制程技术，月产能为5.5万片。且计划兴建的第二座工厂也落脚熊本县，预计2024年底开始兴建、目标2027年底开始营运，将切入6/7纳米。台积电熊本一厂、二厂合计月产能预估将达10万片以上。而台积电董事长魏哲家曾在6月表示，待第一、第二工厂确实运转后，若获得当地（熊本县）居民同意的话，也会考虑兴建第三座工厂。近三年台积电已从中国大陆和日本获得超200亿元人民币补贴，据台积电近期公开的财务数据显示，2024年上半年，台积电从中国大陆和日本获得了约79.56亿新台币（约合人民币17.8亿元）的补贴，2023年则取得约475.45亿元（约合人民币106亿元）的补贴，2022年则获得70.5亿新台币（约合人民币15.8亿元）的补贴。近日，台积电的扩产计划也传来好消息。在台积电2025-2026年的扩产计划中，官方表示已成功克服关键瓶颈，将显著提升CoWoS产能。目前，台积电已将2025年底的CoWoS产能预测从先前的6-6.2万片/月上调至7万片/月。新增产能将主要用于生产CoW-S产品，以应对英伟达B200A生产时程提前的需求。法人分析，除设备交期外，土地和厂房空间的紧缺曾是先进封装扩产的一大限制，然台积电近期取得突破，将持续加速产能扩展，以满足全球对高效能运算（HPC）和人工智能（AI）需求增长。此外9月初，台积电表示，计划结合InFO-SoW和SoIC为CoW-SoW，将内存或逻辑芯片堆栈于晶圆上，并预计在2027年量产。三星平泽P4/P5工厂推迟到2026年优先建设得州泰勒厂据外媒9月2日消息，三星平泽P4第二和第四阶段生产线以及P5工厂的建设将推迟到2026年。目前，三星将专注于在得克萨斯州泰勒市建设晶圆厂。近期行业对于三星在建的多条生产线将优先生产DRAM、NAND还是处理晶圆代工业务的决定十分关注。行业人士认为，为了缓解半导体市场的波动并增强盈利能力，三星正在尽可能推迟决定生产什么产品，以便公司能够根据市场情况灵活运营。据悉，三星没有在2024年7月底对平泽P5工厂进行必要的财务审查，导致P5和P4工厂的建设计划都被推迟。不过，生产NAND

据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要有平面结构和沟槽结构两种结构。目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。平面碳化硅MOS结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近P体区域的狭窄N区中，流过时会产生JFET效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。平面型与沟槽型碳化硅MOSFET技术对比来源：头部大厂结构图沟槽型结构是将栅极埋入基体中，形成垂直沟道，特点是可以增加元胞密度，没有JFET效应，沟道晶面可实现最佳的沟道迁移率，导通电阻比平面结构明显降低；缺点是由于要开沟槽，工艺更加复杂，且元胞的一致性较差，雪崩能量比较低。“关键就在工艺上。”国家第三代半导体技术创新中心（南京）技术总监黄润华介绍，碳化硅材料硬度非常高，改平面为沟槽，就意味着要在材料上“挖坑”，且不能“挖”得“坑坑洼洼”的。在制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对碳化硅器件的研制和性能有致命影响。对此，国家第三代半导体技术创新中心（南京）组织核心研发团队和全线配合团队，历时4年，不断尝试新工艺，最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳化硅MOSFET芯片，较平面型提升导通性能30%左右，目前中心正在进行沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品开发，推出沟槽型的碳化硅功率器件，预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。该突破对我们的生活和半导体产业有何加持作用呢？黄润华以新能源汽车举例介绍，碳化硅功率器件本身相比硅器件具备省电优势，可提升续航能力约5%；应用沟槽结构后，可实现更低电阻的设计。在导通性能指标不变的情况下，则可实现更高密度的芯片布局，从而降低芯片使用成本。生产一代、研发一代、预研一代，目前国家第三代半导体技术创新中心（南京）已启动碳化硅超级结器件研究，“这个结构的性能，比沟槽型结构更优更强，目前还在研发。”黄润华透露。国际大厂深耕沟槽型碳化硅MOSFET芯片沟槽型碳化硅MOSFET芯片研究在国际上势头红火，罗姆、英飞凌、日本电装、日本住友、安森美、三菱电机功率器件制作在沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术上也有着较强优势。罗姆公开资料显示，罗姆是率先转向沟槽MOSFET的公司，2018年罗姆推出先进的车规级沟槽型碳化硅MOSFET。2020年罗姆开发出第四代沟槽结构MOSFFT，通过进一步改进自创的双沟槽结构，改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间，与第三代相比，在不牺牲短路耐受时间的情况下将导通电阻降低约40%，为业内最低。目前，罗姆在还在开发第五代沟槽技术。图片来源：罗姆据罗姆官方表示，沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽（沟槽MOS）并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时VF更低。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而实现更低的IR。英飞凌英飞凌并没有选择进入平面结构市场，而是直接选择了沟槽结构，其产品定位于高端市场。英飞凌的沟槽设计方式与众不同，属于半包沟槽结构，如下图。每个沟槽的一侧都有一个通道，另一侧被深P+注入覆盖，如下面所显示，是英飞凌的SiC

根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第二季中国618年中消费季的到来，以及消费性终端库存已回归健康水平，客户陆续启动消费性零部件备货或库存回补，推动晶圆代工厂接获急单，产能利用率显著提升，较前一季明显改善。同时，AI服务器相关需求续强，推升第二季全球前十大晶圆代工产值季增9.6%至320亿美元。从排名来看，前五大晶圆代工厂商第二季保持不变，依次为TSMC（台积电）、Samsung（三星）、SMIC（中芯国际）、UMC（联电）与GlobalFoundries（格芯）。在六至十名中，VIS（世界先进）受惠DDI（显示驱动芯片）急单及PMIC（电源管理芯片）红利带动出货增长，排行升至第八位；PSMC（力积电）、Nexchip（合肥晶合）则分别降至第九和第十位。排行依次为HuaHong

Gelsinger和公司主要高管计划在本月晚些时候向董事会提交一项计划，计划的主要目标是剥离非核心业务和调整资本支出，以期重振公司在芯片制造领域的领导地位。8月29日，Pat

据工信部发布的最新数据显示，1-7月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长13.4%。主要产品中，手机产量8.78亿台，同比增长9%，其中智能手机产量6.54亿台，同比增长10.6%；微型计算机设备产量1.86亿台，同比增长2.7%；集成电路产量2445亿块，同比增长29.3%。集成电路是支撑国家经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，也是新基建的基石。随着电子信息产业的快速发展，集成电路的重要性也日益凸显。与此同时，近年来人工智能也正在逐渐成为新质生产力的引擎之一，在“无芯片不AI”的背景下，人工智能与集成电路相互促进，二者之间的关系密不可分。近日，国家市场监管总局和工信部均表示，要聚焦集成电路、人工智能等产业发展。国家市场监管总局：聚焦集成电路、人工智能等重点产业链，部署146项攻关任务当前，国家市场监管总局在进一步聚焦人工智能，集成电路等产业链已经取得了可观的成果。据央视新闻记者近日报道，根据中央经济工作会议提出的“加强质量支撑和标准引领，提升产业链供应链韧性和安全水平”，市场监管总局会同相关部门部署开展质量强链工作，取得了阶段性成效。今年以来，国家市场监管总局部署了质量强企、质量强链、质量强县三项重点工作，例如在“质量强链”方面，国家已经启动十大标志性项目。据国家市场监督管理总局质量发展局局长刘三江介绍，项目主要聚焦集成电路、人工智能、量子信息、新能源汽车等重点产业链质量提升需求，部署146项攻关任务。同时针对重点产业发展急需的核心器件、测试方法等关键技术标准短板，加快研制一批国家标准，推动制定一批国际标准。截至目前，已突破一批制约产业链供应链质量瓶颈，如：集成电路项目成功研制22nm线宽国家一级标准物质；量子信息项目4.2K温度计量装置进入降温实验阶段；电动汽车超充项目建立充电桩远程计量系统和数据库，接入充电桩13.5万台、超充桩500台，线上线下电能计量测量结果一致性超过90%。工信部：聚焦人工智能等新赛道，围绕集成电路等重点产业链，打造自主可控供应链近期，工信部党组书记、部长金壮龙对外表示，要聚焦人工智能等新领域新赛道，积极开展跨界合作，同时围绕集成电路等重点产业链，抓紧打造自主可控的产业链供应链。8月28日，金壮龙在第六次中小企业圆桌会议上指出，要聚焦人工智能、量子科技等新领域新赛道。金壮龙表示，要强化产业链供应链上下游协作，积极参与制造业重点产业链高质量发展行动，与链主企业密切协同，加速技术突破和产品迭代。要加强前沿领域谋篇布局，聚焦人工智能、量子科技等新领域新赛道，积极开展跨界合作，引进和培养高层次人才，加快形成更多标志性产品。8月31日，金壮龙在接受新华社采访时再次表示，将围绕集成电路、工业母机、医疗装备等重点产业链，一链一策，抓紧打造自主可控的产业链供应链。产业链、供应链是大国经济必须具备的重要特征。金壮龙指出，我国建成规模大、体系全、竞争力较强的产业体系，但也要看到，当前外部环境变化带来的不利影响增多，关键核心技术受制于人、产业基础薄弱等问题尚未根本解决。我们必须加快提升产业链供应链韧性和安全水平。例如在健全强化重点产业链发展的体制机制方面。金壮龙指出，要围绕集成电路、工业母机、医疗装备等重点产业链，一链一策，抓紧打造自主可控的产业链供应链。深入实施产业基础再造工程和重大技术装备攻关工程，全链条推进技术攻关和成果应用。完善首台（套）、首批次、首版次应用政策，促进创新产品规模应用和迭代升级。2023年，我国数字产业实现收入32.5万亿元，工业互联网应用覆盖全部工业大类，数字经济的驱动作用日益凸显。金壮龙指出，下一步，将把建设制造强国同发展数字经济、产业信息化等有机结合，提升产业体系现代化水平。其中在大力发展新一代信息技术产业方面。聚焦集成电路、工业软件、卫星互联网等领域，更大力度补短板、锻长板、树新板，培育造就一批生态主导型企业，发展一批专精特新中小企业，打造一批具有国际竞争力的数字产业集群。同时，推动人工智能赋能新型工业化。培育若干通用大模型和行业大模型。开展“人工智能+制造”行动，大力发展智能产品。此外，未来，工信部将聚焦新一代信息技术、人工智能、航空航天等战略性产业，推动完善发展政策和治理体系。同时，重点围绕未来制造、未来信息、未来材料等方向，大力发展人形机器人、6G、原子级制造等新领域新赛道，建立未来产业投入增长机制，完善支持孵化与加速政策体系，发展壮大瞪羚企业、独角兽企业。推荐阅读先进封装带动半导体设备起飞！存储产品平均合约价预测《黑神话》带火两类半导体产品300亿半导体芯片项目新进展▶

“芯”闻摘要存储产品平均合约价预测《黑神话》带火两类半导体珠海再发力集成电路鸿海入局氧化镓300亿半导体项目新进展存储市场新动态1存储产品平均合约价预测根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI

NAND闪存技术，提供高达7.1GB/s顺序读带宽，1600K随机读性能和13us写延迟的优异性能表现。EP9400

据华尔街日报引用消息人士指出，OpenAI正在洽谈新一轮融资，而苹果公司和英伟达两大科技巨头均有意投资人工智能（AI）研究公司OpenAI。报道称，这笔投资将成为OpenAI新一轮融资的一部分，该轮融资将使这家ChatGPT制造商的估值超过1000亿美元。消息人士指出，OpenAI计划筹集数十亿美元资金，其中风投公司兴盛资本（Thrive

近日，中国银行300亿元科创母基金成功落地。母基金由中国银行旗下中银证券担任发起单位和管理人，联合地方政府、产业龙头分批分期设立，将引导更多市场资源投早、投小、投长期、投硬科技。据“中国银行”介绍，母基金将聚焦人工智能、量子技术、生物技术等重点领域，在国家重要科技创新区域和节点城市快速布局，积极助力重大科研实力提升，有效服务核心关键技术转化应用，切实推动科技创新产业化发展。《中共中央关于进一步全面深化改革、推进中国式现代化的决定》提出，构建同科技创新相适应的科技金融体制，加强对国家重大科技任务和科技型中小企业的金融支持，完善长期资本投早、投小、投长期、投硬科技的支持政策。资料显示，今年以来，扬州、无锡、武汉、上海等多个地方政府均设立了产业母基金，以推动相关产业的发展。5月，扬州市新一代信息技术（集成电路）产业母基金正式发布。据介绍，该产业母基金总规模23亿元，采用“母基金+直投”的方式，主要投资于集成电路、半导体、人工智能、特色智能终端、软件与信息服务、大数据等重点领域，以重大招商引资和产业培育项目为主，助力扬州新一代信息技术产业高质量发展。6月，江苏省集成电路（无锡）产业专项母基金落地。该产业母基金总规模50亿元，由省母基金出资25%、无锡市配套出资75%。基金采取“子基金+直投”方式，主要投向半导体设备、材料和零部件，第三代半导体材料、生产主体和设备，芯片设计等。7月24日，总规模100亿元的光谷中金基金暨武汉新城科创母基金启动受理。该基金是湖北省、武汉市、东湖高新区三级政府共同支持，围绕武汉新城产业发展设立的大型综合性基金。2024年光谷中金基金将按照“2+5+N”的模式，打造重点领域基金+特色领域基金+战略合作基金的多层次基金群。两个重点领域即光电子信息及数字经济产业和生命健康产业7月26日，总规模1000亿元的上海三大先导产业母基金正式启动，包括集成电路、生物医药、人工智能母基金以及未来产业基金。其中，其中，集成电路产业母基金重点投向集成电路设计、制造和封测、装备材料和零部件等领域；人工智能产业母基金重点投向智能芯片、智能软件、自动驾驶、智能机器人等领域。此外，绍兴滨海新区新动能产业母基金也已正式具备投资条件。该基金于7月11日在中国证券投资基金业协会完成备案。基金总规模100亿元，主要用于投资集成电路及其材料、设备等产业链上下游相关领域，以及泛半导体、数字经济、高端装备、新能源、新材料等滨海新区重点产业布局。推荐阅读珠海再发力集成电路第四代半导体氧化镓蓄势待发！多条12英寸芯片生产线新进展事关集成电路，人民日报发文▶

近两年AI浪潮席卷全球，高性能HPC等芯片需求高涨，存储、晶圆代工行业高度受益的同时，封测以及设备行业也在分一杯羹。近期行业消息显示，从群创、友达、京东方、天马到日本的夏普，面板业者纷纷寻求转型先进封装，带动封装设备市场快速发展。据TrendForce集邦咨询最新报告指出，由于全球AI

点击蓝字关注我们基于世界最高性能的1b工艺扩展平台，以最高效的方法开发出1c工艺以利用新材料、优化EUV工艺确保成本竞争力，通过能效改善为数据中心节省30%以上的电费计划在年内完成批量生产准备，明年开始正式供应“将适用于最先进的DRAM产品，为客户提供差别化的价值”2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5

据《重庆新闻联播》近日报道，总投资约300亿元的三安意法半导体项目已进入收尾阶段，衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。据悉，重庆三安意法半导体项目由重庆三安半导体和安意法半导体共同开展建设，项目分为芯片厂和衬底厂两部分，包括一家专业从事碳化硅外延、芯片、研发、制造、销售的车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。其中，“衬底厂”重庆三安半导体由三安光电全资子公司湖南三安半导体于2023年7月全资成立，注册资本18亿元，项目预计投资70亿元，专业从事碳化硅晶圆生长、衬底制造，规划达产年生产能力为8英寸碳化硅衬底48万片。“芯片厂”安意法由湖南三安半导体（51%）和意法半导体（中国）投资有限公司（49%）于2023年8月共同出资设立，注册资本6.12亿美元。项目总投资32亿美元（约合人民币228亿元），规划达产年生产能力为8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片48万片，预计营收将达139亿元。衬底厂则由三安光电利用自有碳化硅衬底工艺，通过全资子公司湖南三安半导体在重庆设立全资子公司重庆三安半导体配套建设，项目总投资约70亿元规划生产8英寸碳化硅衬底48万片/年。据“三安光电”披露，目前重庆三安意法项目正处于设备进场安装调试的关键阶段，衬底厂预计8月底将实现点亮通线，安意法预计11月底将整体通线。事实上，当前在新能源汽车、5G通讯、可再生能源等市场的强劲需求带动下，尤其是随着新能源汽车产业的迅速发展，碳化硅市场规模也迎来爆发式增长。2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%，而主流应用则是倚重电动汽车及可再生能源。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询表示，作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势。集邦咨询预测，2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。推荐阅读珠海再发力集成电路第四代半导体氧化镓蓄势待发！多条12英寸芯片生产线新进展事关集成电路，人民日报发文▶

根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI

当前，随着人工智能的蓬勃发展，对芯片技术工程师需求不断增加，许多公司将目光投向越南，凭借人力资源和成本优势，越南成为了吸引半导体产业巨头关注的“磁石”。据了解，三星、英特尔、高通、英飞凌、安靠等众多世界半导体行业大型企业纷纷在越南开展投资，并取得一定成功。预计到2024年底，越南半导体产业总值将超61.6亿美元，使越南成为全球半导体产业重要生产中心。最新消息是，据中国驻越南大使馆经济商务处8月27日引用越通社报道称，越南总理范明政日前签发《关于加强半导体芯片、人工智能和云计算领域高素质人力资源培训政府令》。报道称，政府令指出，为使高素质人力资源培训工作在工业4.0时代取得新突破，各部部长、政府直属机构负责人、各省市人民委员会主席需各司其职，加强半导体、人工智能、云计算领域高素质人才培养。越南教育培训部需指示高校和机构研究和建立重点培养半导体、人工智能和云计算等领域人才的专门单位（学校、院系、教研室等）；引导高校重新核查和创新课程，为半导体、人工智能、云计算等领域的讲师、研究人员和学生制订培训计划；加强科技尤其是人工智能在教学中的应用；促进半导体、人工智能、云计算等领域的校企合作与国际合作。教育培训部需抓紧完成并建议总理批准服务高新技术和基础产业发展的高素质人力资源培训项目，为总理草拟关于指导、引导和促进半导体、人工智能和云计算领域人力资源培训的政府令。计投部需抓紧完成并提交总理批准《2030年半导体行业人力资源开发和2050年愿景提案》，其中需涵盖人工智能和云计算内容；推动半导体、人工智能、云计算等领域创新中心、孵化器、创新网络等生态系统的形成和发展。科技部需主动核查并优先安排半导体、人工智能、云计算等与高校和机构人才培养和教育相关的科研项目；与有关部委研究完善吸引半导体、人工智能、云计算等领域人才的特殊机制和政策。通讯传媒需紧急完成并提请总理批准《至2030年越南半导体产业发展战略和2050年愿景》；制定优先发展大数据计算中心的战略实施方案，支持高校培养半导体、人工智能、云计算等领域高素质人才。各部委需支持高校和机构培养各领域高素质人才，特别是半导体芯片、人工智能、云计算等领域人才。各省市人委会需积极主动开展发展半导体、人工智能、云计算等领域的招商引资活动；加强国家、高校和企业间合作，提高半导体、人工智能、云计算领域培训效率；为半导体、人工智能、云计算等高科技领域高素质人才培养提供支持。推荐阅读珠海再发力集成电路第四代半导体氧化镓蓄势待发！多条12英寸芯片生产线新进展事关集成电路，人民日报发文▶

近期，热门游戏《黑神话：悟空》甫一发售，便以精美的画面、丰富的玩法和独特的剧情设定吸引了全球玩家的关注。这款游戏背后运用了包括虚拟现实、人工智能等在内的多项前沿技术，芯片负责为这些前沿技术提供底层支持，能让游戏呈现出真实且令人震撼的视觉效果，同时保证了游戏的流畅性和操作性，GPU与存储器便是其中两大代表。1高性能GPU满足游戏需求《黑神话：悟空》具备高清画质和复杂特效，并支持光线追踪技术，可以模拟真实世界中的光线行为，为游戏带来更加逼真的光影效果，这就需要高性能GPU提供强大图形处理能力，以确保游戏体验流畅。GPU大厂英伟达为《黑神话：悟空》提供了多项技术支持，RTX

近日，2024年长三角生态绿色一体化发展示范区联合招商活动举行，会上，致瞻新能源有限公司投建的碳化硅半导体器件生产项目和亿源半导体有限公司投建的亿源半导体芯片烧录项目签约。另外，由中电三公司承建的合肥芯科半导体设备生产制造施工总承包项目亦正式开工...事实上，在新能源汽车、人工智能AI等产业的推动下，半导体行业逐渐走出下行周期，与此同时，国内半导体产业的投资热度亦持续多点开花。而近期，除了上述提到的签约、开工项目外，还有一批半导体产业项目也迎来了新的进展。芯华睿车规级碳化硅及硅基功率模块（IGBT/SiC）量产近日，落户江苏东台高新区的芯华睿半导体科技有限公司车规级碳化硅及硅基功率模块（IGBT/SiC）正式量产。资料显示，芯华睿半导体成立于2021年，总部位于上海，核心团队来自英飞凌、安森美、联电、博世等国内外知名半导体及汽车电子公司，掌握芯片设计、模块设计、封装工艺等关键技术，面向新能源汽车及光伏、储能领域，产品涵盖SiC/IGBT芯片、模块及分立器件等。公司总部位于上海浦东，在临港建有可靠性实验室，产功率模块200万只的生产基地位于江苏东台高新区。据悉，芯华睿半导体所产1200V碳化硅及750V