存储、第三代半导体祭出众多“芯”品！

近日，elexcon2024和PCIM Asia两大盛会齐聚深圳，众多存储和第三代半导体厂商聚集，纷纷展出最新产品技术，引起行业驻足，一起看看两大展会有何亮点吧。

elexcon2024超20家存储厂商亮相

本次备受瞩目的存储器厂商超20家，涉及时创意、康盈半导体、铨兴科技、康芯威、紫光国芯、海康存储、长江万润半导体、普冉股份、宇瞻科技、东芯半导体、喻芯半导体、威刚科技等等，产品系列包括SSD/LPDDR/DDR/eMMC等。

兆易创新

兆易创新的核心产品线为存储器(Flash、利基型DRAM)、32位通用型MCU、智能人机交互传感器、模拟产品及整体解决方案。

存储领域，兆易创新SPI NOR Flash累计出货量超237亿颗，提供512Kb到2Gb的容量范围，支持1.2V、1.8V、3V、1.65~3.6V以及1.8V VCC&1.2V VIO多种供电类型，并针对不同市场应用需求分别提供高性能、低功耗、高可靠性、小封装等多个产品系列。其中，GD25/55X和GD25/55LX系列符合JEDECxSPI标准，数据吞吐量达400MB/s，适合用于车载、物联网和其他需要将大容量代码快速读取、保证系统上电后即时响应的应用。并且GD25/55全系列产品已通过AEC-Q100车规级认证。

图片来源：全球半导体观察摄

NAND Flash，采用了38nm和24nm的成熟工艺节点，提供从1Gb至16Gb的主流容量产品，支持1.8V和3V电压，为需要大容量、高可靠性代码存储的嵌入式应用提供了完善的解决方案。目前，GS5F全系列SPI NAND Flash均已通过AEC-Q100车规级认证。

兆易创新利基型DRAM产品，符合JEDEC标准，推出了DDR3L、DDR4不同容量、不同工作温度范围的系列产品。兆易创新于2021年6月推出了首额4Gb DDR4产品GDQ28FAA系列，标志着正式公司迈入利基型DRAM市场。

铨兴科技

铨兴科技此次向外展示了最新研发的AI训推一体机LLM本地化部署解决方案以及一系列中高端存储产品。

铨兴科技展示的高端存储产品，涵盖消费级、工规级、车规级、企业级在内。企业级产品包括U.2 PCle 5.0 QLC SSD、ES33H01 U.3 NVMe SSD、DRR4 R-DIMM。其中，ES33H01 U.3 NVMe SSD产品，支持业界最新U.3接口，可完全向后兼容U.2插槽，采用PCle Gen 4和NVMe 1.4，最高可实现7400/6900 MB/s的顺序读写和1750K/480K IOPS的随机读写，为数据中心应用提供高性能、低延迟、高可靠。

图片来源：全球半导体观察摄

AI产品方面，铨兴AI训推一体机主要由铨兴添翼AI扩容卡、企业级固态硬盘、服务器内存等核心组件组成，包括铨兴添翼AI扩容卡、DDR5 R-DIMM、SATA/NVMe eSSD等。此方案可显著降低大模型训练的门槛，实现70B-180B超大模型、高精度、全参微调，对Llama、Mistral、千问、智普等主流开源大模型实现了完美支持，成本不到100万元，节省超85%，大幅降低大模型的微调成本。铨兴科技透露，目前已经与多家国产CPU、国产GPU、软件服务商、AI服务器整机厂商、厦门大学等高校以及政府部门建立了合作关系，共同推动AI技术的发展和应用。

图片来源：全球半导体观察摄

康盈半导体

康盈半导体在此次展会以“向芯而行，智储无界”为主题，发布2024自研存储新产品，3大自研新品分别是，星河之芯小精灵——自研主控eMMC嵌入式存储芯片、速影之芯小木星——自研主控microSD移动存储卡、随存之芯小金刚PSSD——便携式磁吸移动固态硬盘。

据介绍，星河之芯小精灵eMMC，采用自主研发的eMMC主控芯片，兼容各主流平台，多容量选择，4GB至256GB，支持更多场景应用；速影之芯小木星microSD，采用自主研发的主控解决方案，支持DDR200模式，极速读写，搭载先进的S.M.A.R.T.功能，容量包含32GB-1TB多种选择；随存之芯小金刚PSSD，最高读取速度高达2000MB/s，最高写入速度高达1800MB/s，具有磁性吸附功能，支持ProRes视频录制，实现随拍随存。

目前，康盈半导体在嵌入式存储产品线工业级和消费级产品阵营日趋壮大，现已广泛应用于智能终端、智能穿戴、智能家居、物联网、网络通信、工控设备、车载电子、智慧安防、智慧医疗等领域。

东芯半导体

本次elexcon2024展会上，东芯半导体展示了全系列包含NAND、NOR、DRAM，以及MCP产品。

图片来源：全球半导体观察摄

其中，东芯半导体SLC NAND Flash主要分为SPI NAND、PPI NAND。该类产品聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。

NOR Flash存储容量覆盖64Mb至1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。

DRAM方面，目前主要是DDR3(L）和LPPDDR1/2/4X。其中LPPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

时创意

本次时创意展示了以UFS 3.1、LPDDR5、eMMC5.1、ePOP为代表的高性能嵌入式存储芯片及应用案例。

其中，时创意的UFS3.1针对AI及旗舰智能手机，时创意全面量产512GB UFS3.1高性能嵌入式闪存芯片，顺序读写速度分别高达2100MB/s、1700MB/s，理论带宽达2.9GB/s，尺寸仅为11.5×13.0×1.0mm，具有高速率、稳定兼容、耐用可靠等特点；LPDDR5传输速率6400Mbps，带宽高达51GB/s，工作电压低至0.5V，相较LPDDR4/4X整体性能提升50%、功耗降低达30%，兼备高性能与低功耗优势；eMMC5.1基于时创意自研固件算法，顺序读取、写入速度分别高达320MB/s、200MB/s，256GB大容量存储，具有体积小、高集成度、高可靠性等特点。

据悉，时创意还带来了新产品SSP24 Pro移动固态硬盘，该产品基于3D TLC NAND颗粒，支持USB 3.2 Gen2x2高速传输标准，顺序读写速度高达2000MB/S、1800MB/S、3.5倍于普通固态移动硬盘的传输速度，可以满足高速存储和大型文件传输等任务，极大节省加载时间。该产品重量70g，支持Windows/Mac OS/OS/Linux等主流系统，采用可正反盲插的Type一C接口，随配双Type-C数据线，可连接手机、iPad Pro、电脑、游戏机、相机等。

图片来源：全球半导体观察摄

紫光国芯

紫光国芯在elexcon2024深圳国际电子展上，带来了多款前沿产品和创新方案，面向汽车电子、人工智能、高性能计算、工业控制、物联网和消费电子等多个关键领域。

图片来源：全球半导体观察摄

内存方面，紫光国芯的新一代车规级低功耗动态随机存储器LPDDR4/LPDDR4X等多款具有自主知识产权的高可靠车规级芯片产品和解决方案，可应用于激光雷达、车联网终端、抬头显示、液晶仪表、车辆动态控制系统、行车记录仪、驾驶员监测系统等汽车电子控制系统领域。此次，紫光国芯带来的LPDDR4 DRAM（第四代低功耗同步动态随机存取存储器），主要为满足智能网联化对车载电子系统的性能和可靠性要求而设计。目前，该产品已通过研发验证及AEC-Q100可靠性认证，处于量产阶段。

存储SSD产品方面，紫光国芯展出了面向行业应用开发的高端SSD产品「CTD700」、「BTD300」和「ATK110」，以及面向消费市场的国潮SSD产品「T5-新纪」。

模组产品方面，紫光国芯展出了RDIMM和U/SO-DIMM等产品，公司全系列模组产品广泛应用于高性能计算、PC等主流市场以及网络通信、工业控制等利基市场。据悉，紫光国芯开发的新一代DDR5 RDIMM在容量、功耗、总线效率等方面有显著提升，速率可达5600Mbps，满足了企业级应用在性能和质量方面的更高要求，可为国产CPU平台以及英特尔第5代至强可扩展处理器Emerald Rapids等平台提供内存解决方案。

德明利

此次德明利展示了嵌入式存储系列、固态硬盘存储系列、内存条存储系列、移动存储系列，包括PCIE GEN5、LPDDR5/4X、LPCAMM2等新品在内。

其中，德明利M.2 2280 PCle Gen5.0x4 NVMe SSD，采用PCIe 5.0接口，具备8通道主控和外置DRAM，可实现接近15GB/s的极速读取，并引入了NVMe 2.0协议以及SLC缓存技术，可确保设备处理高分辨率图形和复杂场景时，增强玩家的沉浸式体验，同时保持设备的便携性和电池续航；LPCAMM2专为高性能计算、AI处理、超薄笔记本和移动设备设计，数据传输速率可达到7500Mbps，运行功耗降低58%，待机功耗降低80%，通过模块化设计减少60%空间；LPDDR5/LPDDR4X嵌入式存储，速率可达6400Mbps，稳定传输速度可达4266Mbps，容量2GB-8GB。

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海康存储

海康存储带来了旗下的消费级和行业级存储产品，以嵌入式产品线为核心，展示的产品主要面向服务器、车载应用、工业控制、消费电子等领域。

目前，海康存储嵌入式存储已经覆盖eMMC、LPDDR、DDR4、SPI NAND、Parallel NAND等产品系列，满足电力、网通、交通、移动终端、智能家居等细分市场的需求。

车载存储方面，海康存储车规级eMMC支持eMMC 5.1数据传输模式，具有高可靠性、高PE、高性能的特点，能确保在-40℃~105℃的极端环境下稳定运行，同时提供40GB/80GB/128GB多种容量选择；车载专用固态硬盘CZS01系列采用高品质3D NAND Flash颗粒和自主研发的固件，确保视频数据写入流畅稳定，-25°C~85°C的工作温度范围可轻松应对四季用车场景；车规级固态USB闪存盘HD200采用一体封装技术，符合车规Grade3温度标准，支持OTA在线升级以及项目深度定制，已实现量产出货，并与多家国内一线新能源汽车品牌达成合作。

金泰克

金泰克在展会上展示了其渠道全系列存储产品，包括DDR内存和SSD固态硬盘两大类，覆盖消费类、工控级及针对中小型企业的KT-B900系列。

消费类存储产品，从前瞻性的产品如"战虎G5"内存，频率高达8000MHz，以及"战虎G7000"固态硬盘，读速高达7000MB/s，为大型3A游戏和专业创作提供流畅体验，到性价比极高的"速虎武曲星"和"速虎白月光"内存，均能满足不同用户的需求。

工控级产品，包括DDR5、DDR4、DDR3内存和PCIE3.0、PCIE4.0，以稳定性和可靠性著称，适应严苛工业环境，广受市场好评。

KT-B900系列，专为中小型企业设计，提供高效稳定的数据存储解决方案，优化数据处理流程，提升工作效率。

图片来源：全球半导体观察摄

喻芯半导体

喻芯半导体展出了多款存储产品，包括高性能的基于长存最新3D NAND的嵌入式存储eMMC、SPI NAND、内存颗粒DDR3L/DDR4/LPDDR4x、闪存颗粒Raw NAND、高速闪存卡micro SD，消费级和企业级SATA/mSATA/M.2 SSD、PCIe3.0/4.0 SSD等以及各种存储解决方案。

喻芯半导体指出，使用搭载了喻芯最新F800系列SSD产品（PCIe4.0 X4）的PC电脑进行现场跑分实测，并与观众进行了最新款3A大制作游戏《黑神话·悟空》火热互动和体验，游戏画面流畅、性能优异、SSD读写速度超过7000MB/s，跑分系统实测喻芯F800系列SSD的性能行业领先。

图片来源：全球半导体观察摄

康芯威

康芯威全面展示自主研发的嵌入式存储芯片，包括eMMC5.1产品。该产品支持目前规范高的HS400标准，在固件中加入断电保护、坏块监测等算法，大大提高了产品可靠性，采用更为先进的LDPC纠错算法，容错率相较传统算法提升三倍以上，可全方位覆盖4~256GB容量的产品以及2D/3D闪存。

康芯威销售副总苏俊杰表示，随着AI手机、AIPC、AI服务器需求迅速增长，以及智能电视、机顶盒等市场逐渐复苏，存储芯片需求将会增加。康芯威聚焦于嵌入式存储领域，正逐渐实现全领域布局。其中，eMMC存储器在消费电子、工控、车载等领域实现量产，产品进入中兴、九联、海信、康佳、星网锐捷、浪潮、保隆汽车等品牌供应链，累计销量超过5000万颗（数据截止至2024年7月）。

图片来源：全球半导体观察摄

长江万润半导体

长江万润半导体带来了SSD、PSSD、eMMC、DDR、LPDDR等产品，包括2100MB/s读速的PSSD移动固态硬盘，高集成度小体积封装BGA SSD和高性能嵌入式eMMC，以及5600MHz高频UDIMM、SODIMM系列产品。

其中，长江万润半导体PCIe Gen4×4 SSD固态硬盘MC7000，采用的是原厂自封GOOD Die颗粒和行业主流存储控制器。MC7000 SSD随机性能（IOPS）1088K，闪存接口速率超过2400MB/s，读速度高达7400MB/s，不仅可以加快数据传输速率、减少延迟，从而实现更高的性能、更快的数据访问和增强的数据可靠性，可以满足AI和大语言模型、云端的服务器等场景。

据了解，长江万润半导体的UDIMM、SODIMM系列产品，采用原厂颗粒，有多种频率和容量可选，兼容市面主流操作系统，为游戏发烧友和电竞玩家提供高效、可靠的内存运行支撑，缩短加载时间，同时确保游戏画面和并行计算任务的流畅执行，可显著提升电脑性能和运行效率。

朗科科技

此次展会，朗科科技展示了SSD、DDR内存、移动固态硬盘、闪存盘、存储卡等多个品类产品，覆盖日常办公、娱乐游戏、差旅出行等众多应用场景。其中，绝影NV7000、绝影RGB内存、Z2S移动固态硬盘等明星产品备受关注。

朗科科技的NV7000绝影系列固态硬盘，容量是2TB，采用M.2 2280规格，使用M.2 Socket 3接口，传输模式PCIe 4.0x4，支持NVMe协议。由于自带散热马甲的关系，整体厚度达到了11.25mm。

而Z2S移动固态硬盘具备近乎5倍移动硬盘的传输速度，1G电影文件，大概2-3秒就能传输完毕，极大提升工作娱乐效率。支持电脑手机多设备直连，玻璃镜面机身，轻便易携。

图片来源：全球半导体观察摄

普冉股份

普冉股份展示了其在存储器和MCU及模拟等领域的相关产品成果。普冉股份主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大非易失性存储器芯片、微控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。

EEPROM方面，目前，普冉股份EEPROM产品全系列全容量均已完成AEC-Q100车规认证，广泛应用于车载信息娱乐系统、导航系统、驾驶辅助系统、数字仪表盘等多个领域。

NOR Flash方面，主要分为SPI NOR Flash、车规级Flash两个系列。其中普冉股份全容量（4Mbit~1Gbit）的ETOX NOR Flash产品系列已经通过AEC-Q100车规认证。

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宇瞻科技

宇瞻科技产品线包含存储器模块、工业用固态盘及消费性电子产品。其中，存储器模块分为工业用DRAM、消费性DRAM，前者面向工业台式机专用，工业笔记本电脑专用，服务器专用，后者面向电竞，超频，台式机专用，笔记本电脑专用。

本次展会，宇瞻科技带来了应用于AI PC方面、以及其他应用于消费端、工控等的存储解决方案。据相关负责人指出，应用于AI PC的的存储方案包括48GB DDR5 UDIMN、48GB DDR5 SODIMM、PDDRSX CAMM2、Anti-Sulfuration DDR5 SODlMN等。

图片来源：全球半导体观察摄

SSD解决方案包括两款不同功能的PH160-M280、以及PT160-25。此外，宇瞻科技还展示了其云系列SSD，旨在面向监控和远程管理物联网边缘设备网络的典型痛点。

PCIM Asia汇聚超30家三代半企业

本届PCIM Asia汇聚了超30家第三代半导体企业，安森美、三菱电机、英飞凌、罗姆、赛米控丹佛斯、中国中车、博世、芯联集成、安世半导体、士兰微等齐聚一堂，展出的新产品、新技术覆盖新能源汽车、充电桩、工业控制光伏和风电、消费电子、家电、通信等热门应用领域。

安森美onsemi

为应对主驱逆变器高功率的需求，onsemi推出了高功率SiC B2S模块，该模块采用了塑封半桥工艺，具备低杂散电感和高可靠性特性。据悉，该模块集成了最新的M3 SiC技术，并通过先进的银烧结实现了低热阻和高性能。

图片来源：全球半导体观察摄

另外，onsemi还在现场展示了采用了新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的1200V SPM31智能功率模块(IPM)。据悉，SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。

罗姆ROHM

PCIM现场，罗姆首次展出其今年最新发布的适用于车载引逆变器的新型二合一SiC功率模块（TRCDRIVE pack）。

图片来源：全球半导体观察摄

据罗姆(ROHM)半导体(上海)有限公司深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦表示，TRCDRIVE packTM产品主要特点是小型化、高功率，具备四大优势：一、该系列内置第四代SiC MOSFET，采用了沟槽工艺，达到业界超低的单位面积导通电阻；二、产品优化了基板的布局，可以做到低寄生电感，开关损耗比传统的模块降低一个等级；三、模块采用了press fit pin和塑封工艺结合，小型化水平做到更低，实现了普通SiC封装模块1.5倍的业界超高密度；四、这款二合一的SiC模块系列产品阵容，分为两个耐压级别：一个是750V，另外一个是1200V，分别对应400V电压平台和800V的电压平台。满足大功率输出应用场景，助力xEV逆变器小型化发展趋势。

8英寸SiC时代奔涌而来，现场罗姆还展示了其8英寸SiC Wafer和8英寸SiC衬底工艺。苏勇锦表示，2025年，罗姆第五代SiC MOSFET将会在8英寸SiC晶圆上量产。而在SiC器件开发商，2025年罗姆也将推出推出第5代SiC MOSFET，同时其第6代及第7代产品的市场投入计划也将同步实施。

另外，现场罗姆的重要合作伙伴海姆希科也展示了采用罗姆SiC裸片封装的各种功率模块。罗姆表示，供应链上的不同厂商拥有各自的优势，与下游伙伴的密切合作可以使罗姆的碳化硅产品触达更多用户，覆盖更大的市场，实现多赢。

三菱电机

三菱电机在本次PCIM中设置了电动汽车展区，其中特别展示了电动汽车用8英寸SiC晶圆以及电动汽车用J3系列EV T-PM。另外，现场我们还看到了其J3系列SiC EV T-PM、新型3.3kV Unifull系列SiC-MOSFET模块、工业用NX封装全SiC-MOSFET模块重磅产品。

图片来源：全球半导体观察摄

据悉，8英寸SiC晶圆是三菱电机制造战略中的关键举措之一。为积极开展产能建设，促进实现中期增长，三菱电机计划以翻番的投资数额用以建造8英寸SiC晶圆工厂以及相关设施，同时加强行业垂直合作，共同开发高质量8英寸SiC衬底。通过稳定供应SiC功率半导体，以满足电动汽车等市场快速增长的需求。

官方消息显示，继3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模块之后，三菱电机新开发的Unifull系列SBD嵌入式SiC MOSFET模块，规格为3.3kV/200A、3.3kV/400A和3.3kV/800A。新型模块采用SiC MOSFET&SBD一体化芯片和LV100封装，将有助于提高铁路牵引系统、电力系统及大型工业变流系统的功率密度、效率和可靠性；另外，其工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块，额定电压为1200V和1700V，额定电流为600A。该模块采用了JFET掺杂技术的第二代SiC芯片，具有低损耗特性。与现有Si IGBT模块相比，功率损耗降低约72%。新模块采用了优化的叠层结构，实现了9nH的内部杂散电感，与现有的Si IGBT模块相比，内部杂散电感减少约47%。

英飞凌

英飞凌展台现场展出了多款CoolSiC^TM碳化硅系列产品新品，包括：1200V增强型CoolSiC^TMMOSFET EasyDUAL^TM3半桥模块、采用2000V CoolSiC^TMM1H芯片的62mm半桥模块、1200V CoolSiC^TMMOSFET EasyDUAL^TM3B半桥模块等。

图片来源：全球半导体观察摄

官方资料显示，英飞凌全新的CoolSiC^TMMOSFET 650V和1200V Generation 2技术，与上一代产品相比，在确保质量和可靠性的前提下，MOSFET的主要性能指标（e.g.能量损耗和存储电荷）优化了20%。结合先进的.XT封装技术，使芯片的瞬态热阻降低了25%甚至更高，使用寿命延长了80%，进一步提升了基于CoolSiC^TMG2的设计潜力，从而实现更高效率、更低功耗。

现场我们还看到了英飞凌面向汽车半导体领域的一大新技术——HybridPACK^TMDrive G2 Fusion模块和Chip Embedding功率器件。其中HybridPACK^TMDrive G2 Fusion模块融合了IGBT和SiC芯片，在有效减少SiC模块成本的情况下同时显著提升了模块的应用效率，而Chip Embedding则可以直接集成在PCB板中，做到极致小的杂散和极致高集成度的融合。

除了碳化硅相关产品，英飞凌还展出了其业内首家双向开关概念器件产品——650V双向开关(BDS)氮化镓产品。在拓扑等应用领域，通过一颗CoolGaN^TMBDS就可以实现之前四颗芯片才能完成的功能，简化客户传统的双边开关复杂电路设计，大幅提升性能和优化成本。

博世

PCIM现场，博世展出了其明星碳化硅产品系列，包括第二代碳化硅MOSFET裸片、先进模块、电驱动系统等。博世表示，能够根据整车厂、一级供应商和分销商对于芯片布局、电气性能和工艺方面的需求灵活定制SiC芯片。

图片来源：全球半导体观察摄

赛米控丹佛斯

本次展会，赛米控丹佛斯带来两大新品，SEMITRANS 20和SKiiP 4 SiC，配备多源采购的2kV SiC芯片。其中SEMITRANS 20实现了灵活的转换器的开发，而SKiiP 4 SiC则集成了功率模块、驱动器、电流传感器和散热器。据悉，通过两个功率模块平台产品eMPack和DCM，他们可以为乘用车和商用车逆变器提供从100kW到750kW的高度可扩展解决方案。

图片来源：全球半导体观察摄

芯联集成

芯联集成在本次PCIM大会中展出了许多新品。聚焦新能源汽车市场，芯联集成针对主驱逆变推出了750V 400A-1000A，1200V 500A-900A碳化硅功率模块，功率范围覆盖150kW-300 kW。最新的平面栅SiC MOSFET芯片效率提升至99%，多款塑封和灌胶模组产品已量产，沟槽栅SiC MOSFET平台预计2025年推出。

图片来源：全球半导体观察摄

除了展示IGBT晶圆产品外，芯联集成也在本次展会中展出8英寸碳化硅晶圆样品。官方资料显示，今年4月，芯联集成国内首条8英寸SiC MOSFET产线已开始投片，并实现了工程批下线，明年将进入量产阶段。

中国中车

中国中车在本次展会中主要展出了高压SiC模块、新能源汽车用功率产品等一系列代表性功率器件，其中应用中车沟槽栅技术的SiC MOSFET晶圆（1200V/10mΩ）首次展出，作为行业先进的新能源汽车主驱用SiC MOSFET芯片，引起行业关注。

图片来源：全球半导体观察摄

士兰微

士兰微现场展出了基于自主研发的SiC MOS芯片技术开发的SSM1R7PB12B3DTFM六单元拓扑模块。该模块适用于纯电动汽车等应用，具有高阻断电压、低导通电阻和高电流密度等特性。芯片方面优化完成低界面态密度和高沟道迁移率的SiC/SiO2氧化工艺研发，单芯片导通电阻达到甚至优于国外同级别器件水平；封装方面攻克纳米银烧结、铜线键合技术并实现量产。

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安世半导体

本次展会中，安世安世半导体设置了宽禁带半导体的解决方案展台，主要展出了全新宽禁带（WBG）功率FET、从SOT23到LFPAK56的专业封装技术、硅晶圆技术、一站式技术服务等最新解决方案。

图片来源：全球半导体观察摄

今年的6月27日，在德国汉堡晶圆厂成立100周年之际，安世半导体与德国汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布：计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。

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